Những cải tiến của Micron MRDIMM mang lại hiệu suất cao nhất và độ trễ thấp nhất cho bộ nhớ chính để tăng tốc khối lượng công việc của trung tâm dữ liệu

MRDIMM Micron chuyển đổi cung cấp năng lượng cho các ứng dụng sử dụng nhiều bộ nhớ như AI và HPC với dung lượng lên tới 256GB với độ trễ thấp hơn 40%

BOISE, Idaho, ngày 16 tháng 7 năm 2024 (GLOBE NEWSWIRE) — Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), hôm nay thông báo rằng công ty hiện đang lấy mẫu mô-đun bộ nhớ kép nội tuyến (MRDIMM) đa kênh. MRDIMM sẽ cho phép khách hàng của Micron chạy các khối lượng công việc ngày càng khắt khe và tận dụng tối đa giá trị từ cơ sở hạ tầng điện toán của họ. Đối với các ứng dụng yêu cầu hơn 128GB bộ nhớ trên mỗi khe DIMM, MRDIMM của Micron hoạt động tốt hơn RDIMM TSV hiện tại bằng cách cho phép băng thông cao nhất, dung lượng lớn nhất với độ trễ thấp nhất và hiệu suất được cải thiện trên mỗi watt để tăng tốc khối lượng công việc ảo hóa nhiều thuê bao, HPC và trung tâm dữ liệu AI sử dụng nhiều bộ nhớ.¹ Bộ nhớ mới này là thế hệ đầu tiên trong dòng Micron MRDIMM và sẽ tương thích với Intel^® Xeon^® 6 bộ xử lý.

“Giải pháp bộ nhớ chính cải tiến mới nhất của Micron, MRDIMM, cung cấp băng thông và dung lượng rất cần thiết với độ trễ thấp hơn để mở rộng quy mô suy luận AI và các ứng dụng HPC trên các nền tảng máy chủ thế hệ tiếp theo”, Praveen Vaidyanathan, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc của Nhóm sản phẩm điện toán của Micron cho biết. “MRDIMM làm giảm đáng kể lượng năng lượng sử dụng cho mỗi tác vụ trong khi vẫn cung cấp cùng khả năng tin cậy, khả dụng và khả năng bảo dưỡng cũng như giao diện như RDIMM, do đó cung cấp cho khách hàng một giải pháp linh hoạt giúp mở rộng hiệu suất. Sự hợp tác chặt chẽ trong ngành của Micron đảm bảo tích hợp liền mạch vào cơ sở hạ tầng máy chủ hiện có và chuyển đổi suôn sẻ sang các nền tảng điện toán trong tương lai”.

Bằng cách triển khai các tiêu chuẩn vật lý và điện DDR5, công nghệ MRDIMM mang đến sự tiến bộ về bộ nhớ cho phép mở rộng cả băng thông và dung lượng trên mỗi lõi cho các hệ thống điện toán tương lai và đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khối lượng công việc của trung tâm dữ liệu. MRDIMM cung cấp các lợi thế sau so với RDIMM: ²

• Tăng tới 39% băng thông bộ nhớ hiệu quả²

• Hiệu suất xe buýt tốt hơn 15%²

• Cải thiện độ trễ lên đến 40% so với RDIMM³

MRDIMM hỗ trợ phạm vi dung lượng rộng từ 32GB đến 256GB ở dạng chuẩn và dạng cao (TFF), phù hợp với máy chủ 1U và 2U hiệu suất cao. Thiết kế nhiệt cải tiến của các mô-đun TFF giúp giảm nhiệt độ DRAM tới 20 độ C ở cùng mức công suất và luồng khí,⁴ cho phép khả năng làm mát hiệu quả hơn trong các trung tâm dữ liệu và tối ưu hóa tổng năng lượng tác vụ của hệ thống cho khối lượng công việc đòi hỏi nhiều bộ nhớ. Thiết kế bộ nhớ và công nghệ xử lý hàng đầu trong ngành của Micron sử dụng đế DRAM 32Gb cho phép MRDIMM TFF 256GB có cùng mức năng lượng như MRDIMM TFF 128GB sử dụng đế 16Gb. MRDIMM TFF 256GB cung cấp hiệu suất cải thiện 35% so với RDIMM TSV có dung lượng tương tự ở tốc độ dữ liệu tối đa.⁵ Với MRDIMM TFF 256GB, các trung tâm dữ liệu có thể mang lại lợi ích TCO chưa từng có so với TSV RDIMM.

Câu chuyện tiếp tục

“Bằng cách tận dụng giao diện và công nghệ DDR5, MRDIMM cung cấp khả năng tương thích liền mạch với các nền tảng CPU Xeon 6 hiện có, mang đến cho khách hàng sự linh hoạt và lựa chọn”, Matt Langman, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc Quản lý sản phẩm trung tâm dữ liệu, Intel Xeon 6 tại Intel cho biết. “MRDIMM cung cấp cho khách hàng sự lựa chọn đầy đủ về băng thông cao hơn, độ trễ thấp hơn và điểm dung lượng cho HPC, AI và vô số khối lượng công việc, tất cả trên cùng một nền tảng CPU Xeon 6 cũng hỗ trợ DIMM tiêu chuẩn. Khách hàng của chúng tôi sẽ được hưởng lợi từ danh mục MRDIMM rộng rãi của Micron, từ mật độ 32GB đến 256GB và ở dạng chuẩn và cao sẽ được xác thực với các nền tảng Intel Xeon 6”.

“Khi các nhà cung cấp bộ xử lý và GPU cung cấp cho chúng tôi nhiều lõi hơn theo cấp số nhân, băng thông bộ nhớ cần thiết để cung cấp hiệu suất hệ thống cân bằng đã bị tụt hậu. Micron MRDIMM sẽ giúp thu hẹp khoảng cách băng thông cho các khối lượng công việc sử dụng nhiều bộ nhớ như suy luận AI, đào tạo lại AI và vô số khối lượng công việc điện toán hiệu suất cao”, Scott Tease, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc AI và Điện toán hiệu suất cao tại Lenovo cho biết. “Sự hợp tác của chúng tôi với Micron mạnh mẽ hơn bao giờ hết và tập trung vào việc cung cấp các giải pháp công nghệ cân bằng, hiệu suất cao và bền vững cho khách hàng chung của chúng tôi”.

Micron MRDIMM hiện đã có sẵn và sẽ được vận chuyển với số lượng lớn vào nửa cuối năm dương lịch 2024. Các thế hệ MRDIMM tiếp theo sẽ tiếp tục cung cấp băng thông bộ nhớ tốt hơn tới 45% trên mỗi kênh so với RDIMM thế hệ tương tự.⁶ Để biết thêm thông tin về những cải tiến của Micron MRDIMM, hãy truy cập: Bộ nhớ Micron MRDIMM.

Tài nguyên bổ sung:

Giới thiệu về Micron Technology, Inc.
Chúng tôi là công ty hàng đầu trong ngành về các giải pháp lưu trữ và bộ nhớ sáng tạo, chuyển đổi cách thế giới sử dụng thông tin để làm phong phú thêm cuộc sống cho tất cả mọi người. Với sự tập trung không ngừng vào khách hàng, công nghệ tiên tiến, sản xuất và hoạt động xuất sắc, Micron cung cấp danh mục sản phẩm lưu trữ và bộ nhớ DRAM, NAND và NOR hiệu suất cao thông qua Micron^® và quan trọng^® thương hiệu. Mỗi ngày, những đổi mới mà nhân viên của chúng tôi tạo ra thúc đẩy nền kinh tế dữ liệu, cho phép tiến bộ trong trí tuệ nhân tạo (AI) và các ứng dụng chuyên sâu về tính toán mở ra các cơ hội — từ trung tâm dữ liệu đến biên thông minh và trên toàn bộ trải nghiệm của khách hàng và người dùng thiết bị di động. Để tìm hiểu thêm về Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), hãy truy cập micron.com.

© 2024 Micron Technology, Inc. Bảo lưu mọi quyền. Thông tin, sản phẩm và/hoặc thông số kỹ thuật có thể thay đổi mà không cần thông báo. Micron, logo Micron và tất cả các nhãn hiệu Micron khác là tài sản của Micron Technology, Inc. Tất cả các nhãn hiệu khác là tài sản của chủ sở hữu tương ứng.

---

¹ Dữ liệu băng thông chỉ đọc dựa trên nền tảng GNR-AP ở các xung nhịp bộ nhớ khác nhau cho MRDIMM (thực nghiệm ở mức 8800MT/giây) và TSV RDIMM (dự kiến ​​ở mức 6400MT/giây) bằng cách sử dụng công cụ Intel Memory Latency Checker (MLC).

² Dữ liệu thực nghiệm so sánh 128GB MRDIMM 8800MT/giây với 128GB RDIMM 6400MT/giây bằng công cụ Intel Memory Latency Checker (MLC).

³ Dữ liệu Stream Triad thực nghiệm so sánh 128GB MRDIMM 8800MT/giây với 128GB RDIMM 6400MT/giây.

⁴ Mô phỏng nhiệt độ DRAM tối đa khi so sánh DIMM dạng chuẩn (SFF) trong khung máy chủ 1U với MRDIMM dạng cao (TFF) trong khung máy chủ 2U.

⁵ Dữ liệu băng thông chỉ đọc dựa trên nền tảng GNR-AP ở các xung nhịp bộ nhớ khác nhau cho MRDIMM (dữ liệu thực nghiệm ở 8800MT/giây) và TSV RDIMM (dữ liệu dự kiến ​​ở 6400MT/giây cho thế hệ hiện tại) bằng cách sử dụng công cụ Intel Memory Latency Checker (MLC).

⁶ Tăng tốc độ dữ liệu dựa trên tốc độ dự kiến ​​trong tương lai của MRDIMM so với RDIMM.

CONTACT: Micron Media Relations Contact Kelly Sasso Micron Technology, Inc. +1 (208) 340-2410 [email protected]

Facebook Comments Box