Doping-Free Arsenene Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Enabled by Thickness Modulated Semiconductor to Metal Transition in Arsenene – Nature.com

Doping-Free Arsenene Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Enabled by Thickness Modulated Semiconductor to Metal Transition in Arsenene  Nature.com
source

Facebook Comments Box

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *